Mikrovalna pojačala snage

[mzewani]

Boktko zna bilo guid ili primjene bilješku opisati korak po korak kako dizajnirati mikrovalna pojačala snage, imam cripps knjiga, ali to nije tako jasna kao što bi trebao biti

 

[eladg]

mzewani wrote:

Bok
tko zna bilo guid ili primjene bilješku opisati korak po korak kako dizajnirati mikrovalna pojačala snage, imam cripps knjiga, ali to nije tako jasno kao što bi trebao biti

 

[e971]

eladg wrote:mzewani wrote:

Bok
tko zna bilo guid ili primjene bilješku opisati korak po korak kako dizajnirati mikrovalna pojačala snage, imam cripps knjiga, ali to nije tako jasna kao što bi trebao biti

 

[hf2050]

110W?

<img src="http://www.edaboard.com/images/smiles/icon_confused.gif" alt="Confused" border="0" />100W isn't good enough?

<img src="http://www.edaboard.com/images/smiles/icon_wink.gif" alt="Wink" border="0" />HNY!!

PS
Bolestan biti zadovoljni s 1W na 2g4!(s rx / tx prekidač)!

 

[eladg]

e971 je napisao:eladg wrote:mzewani wrote:

Bok
tko zna bilo guid ili primjene bilješku opisati korak po korak kako dizajnirati mikrovalna pojačala snage, imam cripps knjiga, ali to nije tako jasna kao što bi trebao biti

 

[AL0117]

Bok,

Za appnotes probati slijedeće linkove:

Fujitsu: (u appnotes ćete naći allmoust korak po korak opis)

hxxp: / / www.fcsi.fujitsu.com / products / AppNotesTechArticles.htm

Ne smatram CEL / NEC appnotes na web stranici od cel hxxp: / / www.cel.com (AN1030, 1036,1038), ako ih ne možete pronaći, ja ću u / l

Također potražite na GaAs Fets Mitsubishi (oni imaju visoku moć tranzistori)

hxxp: / / www.mitsubishichips.com / products / wave / Datasheet / mw_lsband_gaas.htmlpozdrav, AlPS ne zaboravite da se zamijeni x s t

 

[mzewani]

bok
možemo koristiti e parametre za projektiranje pojačalo snage odgovarajući
sparameters koji sam se mjere po velikim signala nije na mala signala kao što je to kod 8v 250 mA ali mnoge knjige reći da ne možemo koristiti e parametre za napraviti odgovarajući
bilo koji komentari su dobrodošli

 

[toonafishy]

Kada koristite S-parametri za podudaranje, vi ste uz pretpostavku tranzistor radi u malim signala linearne uvjetima.Sa pojačala, radna točka na uređaju pomiče preko RF ciklus što čini s-parametrima ne vrlo koristan.Što trebate učiniti je povući teret analizu.Zemljišta ove konture za gain/IP3/Pout na Smithov dijagram.Zatim možete odabrati utakmica za željeni gain/IP3/Pout.

 

[e971]

toonafishy wrote:

Kada koristite S-parametri za podudaranje, vi ste uz pretpostavku tranzistor radi u malim signala linearne uvjetima.
Sa pojačala, radna točka na uređaju pomiče preko RF ciklus što čini s-parametrima ne vrlo koristan.
Što trebate učiniti je povući teret analizu.
Zemljišta ove konture za gain/IP3/Pout na Smithov dijagram.
Zatim možete odabrati utakmica za željeni gain/IP3/Pout.

 

[eladg]

e971 je napisao:toonafishy wrote:

Kada koristite S-parametri za podudaranje, vi ste uz pretpostavku tranzistor radi u malim signala linearne uvjetima.
Sa pojačala, radna točka na uređaju pomiče preko RF ciklus što čini s-parametrima ne vrlo koristan.
Što trebate učiniti je povući teret analizu.
Zemljišta ove konture za gain/IP3/Pout na Smithov dijagram.
Zatim možete odabrati utakmica za željeni gain/IP3/Pout.

 

[AL0117]

Bok,

Možete koristiti metode opterećenja linija Cripps, (možete koristiti statički IV krivulje)

Provjerite post ispod

http://www.elektroda.pl/eboard/ftopic61295.html

vam korak po korak decription u naznačeno @ gilent appnote.

pozdrav, Al

 

[activewei]

Možete koristiti malih signala S-parametar pod uvjetom da odgovaraju za stjecanje i provjeru njegove stabilnosti pod malim signala operacije.Za dizajn pojačalo snage, svakako treba tuner saznati optimalnog impendencije bilo pasivno ili aktivno opterećenje vučenje tereta povući.Trebate 2 tunera ako implementirati pasivne učitavanja povući.Izvor Vuci za moći dobiti i opterećenja za visoke izlazne snage.Za točan uređaj za karakterizaciju, probajte aktivnog opterećenja povući.Držite na umu, aktivni vučenje tereta je potrebno potpuno opterećenje pull sustav, što je vrlo skupo.

Osim opterećenje povući experiement postići visoke izlazne snage i PAE, te bi trebao isto tako uzeti u obzir izgled, hladnjaka i DC pomicanje sklopa.Razmislite o korištenju toplinski i električni vodljive epoksidne ako dizajn visoke frekvencije Power Amplfier (10W na X / KU band).Ona pomaže puno kao što sam suočio ovaj problem prije nego.